VeeMAX III 变角单次反射ATR
可变角度单次反射ATR，用于多层膜、镀层、脱模剂、硅外延层、金属或硅片等表面单层膜或超薄膜、化学迁移等的分析，亦可用于红外光谱电化学研究。
产品特点：
- 30°～80°连续可变入射角
- 0.4-46微米入射深度，适合深度剖析，如多层膜、镀层分析
- 20mm大尺寸晶体，非常适合硅片或金属基底表面的单层膜、超薄膜分析，相比于镜面反射，灵敏度可提高1-2数量级
- 结合电化学池用于红外光谱电化学研究
- 高光通量，以短的扫描时间提供高的光谱质量，提高检出限
- 可选ZnSe\Ge\Si\ZnS晶体
- 可作为变角镜面反射附件使用
- 预留偏振片位置，可选配手动或自动偏振片
- 可选配自动版，软件调节入射角
- 可加热晶体盘，最高温度至130℃
